-
1 Smart Power
прил.микроэл. Smart-Power-Bauelemente силовые полупроводниковые приборы с "интеллектом", силовые полупроводниковые приборы с "интеллектом", силовые полупроводниковые приборы со встроенным микропроцессором -
2 Smart-Power-Bauelemente
прил.микроэл. силовые полупроводниковые приборы с "интеллектом", силовые полупроводниковые приборы со встроенным микропроцессоромУниверсальный немецко-русский словарь > Smart-Power-Bauelemente
-
3 Einschaltzeit
- время срабатывания магнитоуправляемого контакта
- время включения полевого транзистора
- время включения биполярного транзистора
- время включения
время включения
Интервал времени между началом замыкания и моментом, когда в главной цепи появится ток.
МЭК 60050(441-17-40).
[ ГОСТ Р 50030. 1-2000 ( МЭК 60947-1-99)]
время включения
Интервал времени между моментом подачи команды на включение выключателя, находящегося в отключенном положении, и моментом начала протекания тока в первом полюсе.
Примечания
1 Время включения содержит время оперирования любого вспомогательного оборудования, необходимого для включения выключателя и являющегося неотъемлемой частью выключателя.
2 Время включения может изменяться в зависимости от времени дуги при включении
[ ГОСТ Р 52565-2006]
время включения аппарата
Интервал времени с момента подачи команды на включение коммутационного аппарата до момента появления заданных условий для прохождения тока в его главной цепи.
[ ГОСТ 17703-72]EN
make-time
the interval of time between the initiation of the closing operation and the instant when the current begins to flow in the main circuit
[IEV number 441-17-40]FR
durée d'établissement
intervalle de temps entre le début de la manoeuvre de fermeture et l'instant où le courant commence à circuler dans le circuit principal
[IEV number 441-17-40]См. также собственное время включения
Параллельные тексты EN-RU
1
Breaker closed - apply auxillary power to activate the release.
Выключатель во включенном положении. Начинает прикладываться внешнее усилие, направленное на отключение.
2
Contact separation - start of arc.
Наличие зазора между разомкнутыми контактами. Возникновение дуги.
3
Extinction of arc.
Погасание дуги.
4
Breacer open - initiation of closing movement.
Выключатель в отключенном положении. Инициирование включения.
5
Current starts to flow in the conducting path (preignition)
Начало протекания тока (начало горения дуги в изоляционном промежутке между разомкнутыми контактами).
6
Contact touch.
Соприкосновение контактов.
-
Opening time.
Собственное время отключения.
-
Arcing time
Время дуги.
-
Make time.
Время включения.
-
Break time/Interrupting time
-
Dead time.
Бестоковая пауза.
-
Closing time.
Собственное время включения.
-
Reclosing time.
Цикл автоматического повторного включения.
[Siemens]
[Перевод Интент]
Тематики
- аппарат, изделие, устройство...
- выключатель автоматический
- выключатель, переключатель
- высоковольтный аппарат, оборудование...
Синонимы
EN
DE
FR
время включения биполярного транзистора
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
время включения полевого транзистора
время включения
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
время срабатывания магнитоуправляемого контакта
Значение интервала времени от начала воздействия управляющего магнитного поля до последнего замыкания замыкающего или размыкания размыкающего магнитоуправляемого контакта при срабатывании
[ ГОСТ 17499-82]EN
-
FR
-
Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
DE
FR
40. Время включения биполярного транзистора
D. Einschaltzeit
E. Turn-on time
F. Temps total d'établissement
tвкл
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Einschaltzeit
-
4 Ausschaltzeit
- полное время отключения выключателя
- время отпускания магнитоуправляемого контакта
- время выключения полевого транзистора
- время выключения биполярного транзистора
время выключения биполярного транзистора
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения.
Обозначение
tвыкл
toff
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время выключения полевого транзистора
время выключения
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки выключения и времени спада.
Обозначение
tвыкл
toff
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время отпускания магнитоуправляемого контакта
Значение интервала времени от начала уменьшения управляющего магнитного поля до последнего размыкания замыкающего или последнего замыкания размыкающего магнитоуправляемого контакта при отпускании
[ ГОСТ 17499-82]EN
-
FR
-
Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
DE
FR
время отключения
Интервал времени между началом времени размыкания контактного коммутационного аппарата (или преддугового времени плавкого предохранителя) и моментом угасания дуги.
МЭК 60050(441-17-39).
[ ГОСТ Р 50030. 1-2000 ( МЭК 60947-1-99)]
полное время отключения
Интервал времени между началом операции отключения и окончанием погасания дуги во всех полюсах.
[ ГОСТ Р 52565-2006]
полное время отключения выключателя
Время срабатывания расцепителей, механизма выключателя, расхождения силовых контактов и окончания гашения дуги в дугогасительных камерах (используется при проверке селективности защиты).
[А.В.Беляев. Выбор аппаратуры, защит и кабелей в сетях 0,4 кВ. - Л.: Энергоатомиздат. 1988.]EN
break-time
the interval of time between the beginning of the opening time of a mechanical switching device (or the pre-arcing time of a fuse) and the end of the arcing time
[IEV number 441-17-39]FR
durée de coupure
intervalle de temps entre le début de la durée d'ouverture d'un appareil mécanique de connexion, ou le début de la durée de préarc d'un fusible, et la fin de la durée d'arc
[IEV number 441-17-39]См. также собственное время отключения
Параллельные тексты EN-RU 1
Breaker closed - apply auxillary power to activate the release.
Выключатель во включенном положении. Начинает прикладываться внешнее усилие, направленное на отключение.
2
Contact separation - start of arc.
Наличие зазора между разомкнутыми контактами. Возникновение дуги.
3
Extinction of arc.
Погасание дуги.
4
Breacer open - initiation of closing movement.
Выключатель в отключенном положении. Инициирование включения.
5
Current starts to flow in the conducting path (preignition)
Начало протекания тока (начало горения дуги в изоляционном промежутке между разомкнутыми контактами).
6
Contact touch.
Соприкосновение контактов.
-
Opening time.
Собственное время отключения.
-
Arcing time
Время дуги.
-
Make time.
Время включения.
-
Break time/Interrupting time
-
Dead time.
Бестоковая пауза.
-
Closing time.
Собственное время включения.
-
Reclosing time.
Цикл автоматического повторного включения.
[Siemens]
[Перевод Интент]
Тематики
- аппарат, изделие, устройство...
- выключатель автоматический
- выключатель, переключатель
Синонимы
EN
DE
FR
41. Время выключения биполярного транзистора
D. Ausschaltzeit
E. Turn-off time
F. Temps total de coupure
tвыкл
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Ausschaltzeit
-
5 Anstiegszeit
время нарастания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды.
Обозначение
tнр
tк
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время нарастания для полевого транзистора
время нарастания
Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора.
Обозначение
tнр
tr
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
37. Время нарастания для биполярного транзистора
D. Anstiegszeit
E. Rise time
F. Temps de croissance
tнр
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Anstiegszeit
-
6 Abfallzeit
время спада для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время спада для полевого транзистора
время спада
Интервал времени между 90%-ным и 10%-ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
39. Время спада для биполярного транзистора
D. Abfallzeit
E. Fall time
F. Temps de décroissance
tсп
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Abfallzeit
-
7 Eingangskapazität
входная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала.
Обозначение
C11
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- capacité d’entrée
входная емкость полевого транзистора
входная емкость
Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выводе в схеме с общим истоком.
Обозначение
C11и
C11ss
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- capacité d’entrée
27. Входная емкость биполярного транзистора
D. Eingangskapazität
E. Input capacitance
F. Capacité d’entrée
С*11
Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Eingangskapazität
-
8 Ausgangskapazität
выходная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала.
Обозначение
C22
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
выходная емкость полевого транзистора
выходная емкость
Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
Обозначение
C22и
C22ss
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
28. Выходная емкость биполярного транзистора
D. Ausgangskapazität
E. Output capacitance
F. Capacité de sortie
С*22
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Ausgangskapazität
-
9 Thyristordiode
диодный тиристор
динистор
Тиристор, имеющий два вывода.
[ ГОСТ 15133-77]
диодный тиристор
динистор
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
триодный тиристор
тринистор
Тиристор, имеющий три вывода.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Thyristordiode
-
10 Rückwirkungskapazität
емкость обратной связи биполярного транзистора
Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала.
Обозначение
C12
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
проходная емкость полевого транзистора
проходная емкость
Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
Обозначение
C12и
C12ss
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
28a. Емкость обратной связи биполярного транзистора
D. Rückwirkungskapazität
E. Feedback capacitance
F. Capacité de couplage à réaction
С*12
Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Rückwirkungskapazität
-
11 Leistungsverstärkung
- коэффициент усиления по мощности полевого транзистора
- коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения.
Обозначение
KyP
Gp
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
коэффициент усиления по мощности полевого транзистора
коэффициент усиления по мощности
Отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определенной частоте и схеме включения.
Обозначение
Kур
Gp
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
D. Leistungsverstärkung
E. Power gain
F. Gain en puissance
КyP
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Leistungsverstärkung
-
12 maximal zulässige Impulsverlustleistung
- максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность полевого транзистора
- максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
Pи max
PM max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность полевого транзистора
Мощность, рассеиваемая полевым транзистором в импульсе при заданных скважности и длительности импульсов.
Обозначение
Pиmax
PMmax
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
DE
80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
D. Maximal zulässige Impulsverlustleistung
E. Maximum peak power dissipation
F. Puissance dissipée de crête maximale
* В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно «б» или «э» для отечественных буквенных обозначений и «b» и «е» для международных обозначений.
** Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс «max».
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximal zulässige Impulsverlustleistung
-
13 zeitliche Instabilitat der Z-Spannung der Z-Diode
временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона
δUст
δUZ
Отношение наибольшего изменения напряжения стабилизации стабилитрона к начальному значению напряжения стабилизации за заданный интервал времени.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
87. Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона
D. Zeitliche Instabilitat der Z-Spannung der Z-Diode
E. Working voltage long-term instability
F. Instabilité à long terme de la tension de régulation
δUст
Отношение наибольшего изменения напряжения стабилизации стабилитрона к начальному значению напряжения стабилизации за заданный интервал времени
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > zeitliche Instabilitat der Z-Spannung der Z-Diode
-
14 Einschaltzeit der Z-Diode
время включения стабилитрона
tвкл
tоп
Интервал времени, определяемый с момента переключения стабилитрона из состояния заданного напряжения до момента достижения установившегося напряжения стабилизации.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
86. Время включения стабилитрона
D. Einschaltzeit der Z-Diode
E. Turn-on time
tвкл
Интервал времени, определяемый с момента переключения стабилитрона из состояния заданного напряжения до момента достижения установившегося напряжения стабилизации
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Einschaltzeit der Z-Diode
-
15 Stabilisierungszeit der Z-Diode
время выхода стабилитрона на режим
tвых
tT
Интервал времени от момента подачи тока стабилизации на стабилитрон до момента, начиная с которого напряжение стабилизации не выходит за пределы области, ограниченной 2δUст.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
88. Время выхода стабилитрона на режим
D. Stabilisierungszeit der Z-Diode
E. Transient time of working voltage
tвых
Интервал времени от момента подачи тока стабилизации на стабилитрон до момента, начиная с которого напряжение стабилизации не выходит за пределы области, ограниченной 281Т
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Stabilisierungszeit der Z-Diode
-
16 Sperrerholungszeit der Diode
время обратного восстановления диода
Ндп. время восстановления обратного сопротивления
tвос, обр, trr
Время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента, когда обратный ток, уменьшаясь от максимального импульсного значения, достигает заданного значения обратного тока.
[ ГОСТ 25529-82]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
33. Время обратного восстановления диода
Ндп. Время восстановления обратного сопротивления
D. Sperrerholungszeit der Diode
E. Reverse recovery time
F. Temps de recouvrement inverse
tвос,обр
Время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое, значение до момента, когда обратный ток, уменьшаясь от максимального импульсного значения, достигает заданного значения обратного тока
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Sperrerholungszeit der Diode
-
17 Durchlasserholungszeit der Diode
время прямого восстановления диода
Ндп. время восстановления прямого сопротивления
tвос.пр, tfr
Время, в течение которого происходит включение диода и прямое напряжение на нем устанавливается от значения, равного нулю, до заданного установившегося значения.
[ ГОСТ 25529-82]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
34. Время прямого восстановления диода
Ндп. Время восстановления прямого сопротивления
D. Durchlasserholungszeit der Diode
E. Forward recovery time
F. Temps de recouvrement direct
tвос.пр
Время, в течение которого происходит включение диода и прямое напряжение на нем устанавливается от значения, равного нулю, до заданного установившегося значения
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Durchlasserholungszeit der Diode
-
18 dynamischer Widerstand der Diode
динамическое сопротивление выпрямительного диода
rдин
rT
Сопротивление, определяемое наклоном прямой, аппроксимирующей прямую вольт-амперную характеристику выпрямительного диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
61. Динамическое сопротивление выпрямительного диода
D. Dynamischer Widerstand der Diode
E. Slope resistance
F. Résistance apparente directe
rдин
Сопротивление, определяемое наклоном прямой, аппроксимирующей прямую вольт-амперную характеристику выпрямительного диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > dynamischer Widerstand der Diode
-
19 differentieller Widerstand der Diode
дифференциальное сопротивление диода
rдиф, r
Отношение малого приращения напряжения диода к малому приращению тока в нем при заданном режиме.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
19. Дифференциальное сопротивление диода
D. Differentieller Widerstand der Diode
E. Differential resistance
F. Résistance différentielle
rдиф
Отношение малого приращения напряжения диода к малому приращению тока в нем при заданном режиме
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > differentieller Widerstand der Diode
-
20 Z-Widerstand der Z-Diode
дифференциальное сопротивление стабилитрона
rст
rz
Дифференциальное сопротивление при заданном значении тока стабилизации стабилитрона.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
84. Дифференциальное сопротивление стабилитрона
D. Z-Widerstand der Z-Diode
E. Differential resistance within the working voltage range
F. Résistance différentielle dans la zone des tensions de régulation
rст
Дифференциальное сопротивление при заданном значении тока стабилизации стабилитрона
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Z-Widerstand der Z-Diode
См. также в других словарях:
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие к рых основано на свойствах полупроводников, однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p n переходы (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД) и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл.… … Физическая энциклопедия
Полупроводниковые приборы — Полупроводниковые приборы, ППП широкий класс электронных приборов, изготавливаемых из полупроводников. К полупроводниковым приборам относятся: Интегральные схемы (микросхемы) Полупроводниковые диоды (в том числе варикапы, стабилитроны,… … Википедия
Полупроводниковые приборы — ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, электронные приборы, действие которых основано на электрических процессах в полупроводниках. К полупроводниковым приборам, предназначенным для генерирования, усиления и преобразования электрических колебаний, относятся… … Иллюстрированный энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие которых основано на свойствах (см.). К ним относятся нелинейные и отрицательные (см.) (резисторы), полупроводниковые (см.), (см.), , (см.) и их разновидности и др. П. п. служат для генерирования,… … Большая политехническая энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Большой Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Основой полупроводниковых приборов являются электронно дырочные переходы – область на границе между полупроводниками с р – и n – проводимостью. Служат для… … Энциклопедия техники
Полупроводниковые приборы — Электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. В электронике (См. Электроника) П. п. служат для преобразования различных сигналов, в энергетике (См. Энергетика) для непосредственного… … Большая советская энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых осн. на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрич. колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор),… … Большой энциклопедический политехнический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т.д.) электрич. колебаний (полупроводн. диод, транзистор, тиристор),… … Естествознание. Энциклопедический словарь
S-приборы — полупроводниковые приборы, действие которых основано на S oбразной вольтамперной характеристике, на которой есть один (АВ) или несколько участков с отрицательным сопротивлением (См. Отрицательное сопротивление) (см. рис.). У… … Большая советская энциклопедия